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6月30日讲座——Aidong Shen 教授:Intersubband Photonic Devices from Wide Band Gap II-VI Semiconductors

作者:田燕宁; 审核:高洁  编辑:   发布日期: 2016-06-22   来源:院国交办   田燕宁; 审核:高洁

讲座题目:Intersubband Photonic Devices from Wide Band Gap II-VI   Semiconductors

人:Aidong Shen 教授

讲座时间:201663014:00

讲座地点:钱伟长楼202报告厅

欢迎有兴趣的师生前来聆听!

理学院

2016622

主讲内容简介:ZnxCdyMg1-x-ySe-based wide band gap II-VI semiconductor materials and structures with adjustable band gap (direct) energies from 1.66 eV (c-CdSe, RT) to 3.7 eV (ZB-MgSe, RT) have been traditionally used to fabricate optical emitters and detectors in the visible and ultraviolet spectral regions. The materials can be grown lattice-matched on InP substrate with tunable gaps from 2.1 eV to 3.6 eV (which makes them potential candidates for high efficiency multi-junction solar cells). For strained-layers and/or with strain compensations, the tunability is even larger. In heterostructures formed with the material system, about 80% of the band offset is in the conduction band. The widely tunable conduction band offset makes the material system potentially a good candidate for intersubband devices working in a wide spectral range (from near IR to long-wave IR), especially those in the short wavelength region (< 4 μm). This talk reviews our recent effort and progresses on the development of quantum-well infrared photodetectors (QWIPs), quantum cascade (QC) emitters, as well as ultrafast all-optical switches with the wide gap II-VI semiconductors. I will talk about the design, growth and characterization of various device structures. Some initial results on ZnO-based quantum structures will also be discussed.

主讲人简介:沈爱东博士,纽约城市大学电气工程系终身教授。沈爱东教授主要从事新型半导体材料和器件的开发研究,是III-V族铁磁性半导体的发明者之一,是世界上第一个将磁性材料锰(Mn)和传统的化合物半导体砷化镓(GaAs)相结合从而制成高温铁磁性半导体的研究者。研究方向为高端红外发光和探测器件、高速光开关、及新型高效能太阳能电池。近年来,通过与普林斯顿大学等其它研究小组的合作,他的研究小组在国际上率先报道了首个基于非III-V族材料的量子级连电致发光。2012年和2013年他们又先后在国际上首次报道了长波段中红外和中波段中红外的基于宽带隙II-VI族半导体的量子阱红外探测器,并与去年实现了该类探测器的双色探测。沈教授先后发表了愈130篇国际学术期刊论文和愈190篇国际会议报告。他的期刊论文已被国际同行引用5000多次。其中一篇文章2012年被 《应用物理快报》(Applied Physics Letters)列为该期刊创刊50年来被引用最多的50篇论文之一。  沈爱东教授同时兼任纽约市立大学(CUNY)研究生院物理学科博导。他是美国物理学会会员,美国科学促进协会会员及美国真空学会会员。他参与组织了多个国际学术会议。是第15次国际II-VI族化合物国际会议(2011)、第二次国际光电材料会议(2012)、第三次国际光电材料会议(2014)和第31次北美分子束外延国际会议(NAMBE2015)的程序委员会委员、第26次北美分子束外延国际会议(NAMBE2009)和第30次北美分子束外延国际会议(NAMBE2013)的大会文集编辑、及第18次国际分子束外延会议(MBE2014)组织委员会委员。2010年和2014年任美国真空学会《真空科学和技术杂志》(Journal of Vacuum Science and Technology)客座编辑。现任美国《晶体结构理论及应用》(Crystal Structure Theory and Applications)杂志编委。沈教授也将是2017年于波多黎哥召开的第18次国际II-VI族化合物及相关材料国际会议的大会主席。2007年以来,沈教授主持和参与了多个美国国家科研项目。他独立申请和参与申请所获得的科研经费近5千万美元。沈教授先后数次获得纽约市立大学的杰出学术成就奖(Outstanding Scholarly Achievements)。他是第2届光电材料国际会议、第12届量子阱中的子带跃迁国际会议及第19届分子束外研国际会议的大会特邀报告者。