博士，教授，博（硕）导。江南大学理学院光电信息科学与工程系教师，江苏省高层次人才培养对象，江苏省“青蓝工程”优秀青年骨干教师，新加坡国立大学电子与计算机工程系访问学者，南京大学电子科学与工程学院博士后。无锡市数理学会理事长、江苏省物理学会理事、美国电气和电子工程师协会（IEEE）会员、美国光学学会、中国光学学会高级会员和江苏省光学学会会员、江苏省/无锡市集成电路学会会员，《Responsive Materials》和《红外与激光工程》期刊青年编委。长期从事III-V族宽禁带半导体和低维半导体电子和光电器件及其在光电探测、无线光通信、光电逻辑和光电神经突触等领域的应用研究工作，已在国内外高水平学术刊物上发表学术论文120余篇，授权发明专利15项。主持国家自然科学基金4项，江苏省自然科学基金青年基金1项，主持中国博士后和江苏省博士后基金3项，江苏省重点研发和无锡市科技发展基金各1项，主持中央高校基本科研业务费重点专项项目2项，企业横向项目10余项。参与完成国家973、863、自然科学基金和江苏省自然科学基金等多项重点项目课题。获中国电子学会科技进步奖1项，中国轻工业联合会和中国商业联合会科技进步奖各2项，获2016年“中国光学重要进展”和“江苏青年光学科技奖”。
【工作及教育经历】
2022.06-至今， 江南大学理学院光电信息科学与工程系，教授；
2013.06-2022.05， 江南大学理学院光电信息科学与工程系，副教授；
2019.04-2020.04， 新加坡国立大学电子与计算机工程系，访问学者；
2013.09-2016.10， 南京大学电子科学与工程学院，博士后；
2008.09-2013.06， 南京大学电子科学与工程学院，微电子学与固体电子学工学博士学位；
2004.09-2008.06 南京航空航天大学，理学学士学位。
【研究领域】
III-V族宽禁带半导体和新型异质结半导体光电和电子器件设计和制备；宽禁带半导体和低维半导体光电器件在光电探测、无线光通信、光电逻辑和光电神经突触等领域的应用研究。
【个人荣誉和兼职】
1. 2024年，江苏省高层次人才培养对象（“333”工程）；
2. 2024年，江南大学“至善青年学者”（A类）
3. 2020年，江苏省“青蓝工程”优秀青年骨干教师；
4. 2020年，江苏省科协青年科技人才托举工程；
5. 2022年，无锡市“百名科技之星”；
6. 2016年，江苏青年光学科技奖
7. 《Responsive Materials》和《红外与激光工程》青年编委
8. 全国大学生光电设计竞赛东部区竞赛委员会委员
【科研获奖】
1. “GaN基光电器件关键技术研发与应用“获2024年中国产学研合作促进会科技创新奖创新成果奖，三等奖，排名第1；
2. “氮化镓基紫外发光和探测器件关键技术与应用”获2021年中国电子学会科技进步奖，三等奖，排名第2；
3.“新型高光效GaN基LED倒装芯片关键技术及应用”获2018年中国商业联合会科技进步奖，一等奖，排名第1；
4. “复合地毯织造产品智能生产线关键技术及产业化”获2018年中国轻工业联合会科技进步奖，二等奖，排名第3；
5. “图形化模板选择外延生长高效GaN基LED及其自发白光技术”获2017年中国轻工业联合会科技进步奖，三等奖，排名第1；
6. “基于图形化模板的高效GaN基LED及其无荧光粉白光照明技术”获2017年中国商业联合会科技进步奖，三等奖，排名第1；
7. “White-light emission from InGaN/GaN quantum well microrings grown by selective area epitaxy”入选“2016中国光学重要进展”；
8. 2018年获“无锡市第十届自然科学优秀学术论文”特等奖；
【教学获奖】
1. “整合物理实验教学资源，激励学生自主实践能力的研究”获2019年江南大学教学成果奖，一等奖，排名第3；
2. 指导本科毕业论文“III族氮化物半导体光电器件设计”，获2017年江苏省普通高校本科优秀毕业设计（论文），单篇二等奖；
3. 指导本科毕业论文“新型光电器件设计”，获2017年江苏省普通高校团队优秀毕业设计（论文）；
4. 指导学生作品“基于第三代半导体SiC-MOSFET的离网型光伏逆变系统”，获全国大学生光电设计竞赛全国总决赛二等奖，东部赛区一等奖。
5. 指导本科生获得全国大学生物理实验竞赛二等奖1项。
【科研项目】
1. 国家自然科学基金-面上项目，铁电极化和异质结协同调控的AlGaN日盲紫外自驱动光电探测器研究，2024/01-2027/12，主持，在研；
2. 国家自然科学基金-面上项目，面向紫外探测的AlGaN光学诱导调控雪崩光电探测器研究，2020/01-2023/12，主持，在研；
3. 江苏省重点研发-社会发展项目，面向食品中危害离子痕量检测的新型半导体传感关键技术及应用研究，2020/12-2023/06，主持，在研；
4. 国家自然科学基金-青年基金，AlGaN基深紫外雪崩光电二极管物理调控机制研究，2017/01-2019/12，主持，结题；
5. 国家自然科学基金-理论物理专款，基于二硫化钨纳米带结构的电学性质理论研究，2016/01-2016/12，主持，结题；
6. 无锡市新兴产业技术研发项目，基于自组装镍纳米模板技术的GaN基高效蓝光LED芯片研发，2016/07-2019/06，主持，结题；
7. 无锡市科技发展基金社会发展示范项目，面向食品安全检测的半导体传感器应用，2018/07-2021/06，主持，结题；
8. 中央高校基本科研业务费重点专项项目，面向可见光通信和传感的新型半导体纳米结构光电器件研究，2016/01-2018/12，主持，结题；
9. 江苏省自然科学基金青年基金，用于气体监测的Si衬底纳米阵列GaN肖特基传感器基础研究，2015/07-2018/06，主持，结题；
10. 中国博士后基金面上项目，Si衬底上复合极性微面多波长GaN基LED的基础研究，2014/01-2015/12，主持，结题；
11. 国家重点基础研究发展规划973项目，半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究，2011/01-2015/12，参与，结题。
【主要代表性论文】
[1] B. X. Wang, X. F. Qin, G. Y. Duan, G. F. Yang,* W. Q. Huang,* Z. M. Huang*, Dielectric-based metamaterials for near-perfect light. Advanced Functional Materials, 2024, 34(37): 2402068.
[2] B. Gong, M. Ge, X. Wang, B. J. Ye, I. N. Parkhomenko, F. F. Komarov, J. Wang, J. J. Xue, Y. Liu, G. F. Yang*, AlGaN/GaN HEMT-based MHM ultraviolet phototransistor with bent-gate structure, IEEE Electron Device Letters, 2024, 45(12): 2335-2338.
[3] Y. S. Liu, B. J. Ye, Y. Gao, M. F. Peng, G. F. Yang*, CsPbBr3 perovskite quantum dots/p-GaN heterojunction for ultraviolet-visible spectrum photodetectors, Applied Physics Letters, 2024, 125(20): 202106.
[4] Y. Gu, J. R. Guo, B. J. Ye, X. F. Yang, F. Xie,W. Y. Qian,X. Y. Zhang, N. Y. Lu, Y. S. Liu, G. F. Yang*, Self-powered AlGaN-based MSM solar-blind ultraviolet photodetectors with high Al-content AlxGa1-xN/AlyGa1-yN asymmetrical heterostructure, Applied Physics Letters, 2023, 123(23): 232103.
[5] B. J. Ye, Y. S. Liu, F. Xie, G. F. Yang*, Dual-wavelength photodetector based on layered WSe2/n-GaN van der Waals heterostructure, Materials Today Nano, 2023, 21, 100295.
[6] G. F. Yang*, Y. Gu, P. F. Yan, et al., Chemical vapor deposition growth of vertical MoS2 nanosheets on p-GaN nanorods for photodetector application, ACS Applied Materials & Interfaces, 2019, 11(8): 8453-8460.
[7] F. Xie, Y. Gu, Z. J. Hu, B. L. Yu, G. F. Yang*, Ultra-low dark current back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors with broad spectral response, Optics Express, 2022, 30(13): 23756-23762.
[8] X. C. Jiang, F. Xie, Y. Gu, X. M. Zhang, G. Q. Chen, G. F. Yang*, L-Cysteine functionalized Al0.18Ga0.82NGaN high electron mobility transistor sensor for copper ion detection, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(6): 3367-3372.
[9] Y. H. Li, Y. S. Liu, G. F. Yang*, et al., Enhanced performance of high Al-content AlGaN MSM photodetectors by electrode modification using hexadecanethiol, Optics Express, 2021, 29(4): 5466-5474.
[10] Y. Gu, G. F. Yang*, A. Danner*, et al., Analysis of high-temperature carrier transport mechanism for high Al-content Al0.6Ga0.4N MSM photodetectors, IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 67(1): 160-165.
[11] G. F. Yang*, Y. H. Li, Y. S. Liu, et al., Surface modification of AlGaN solar-blind ultraviolet MSM photodetectors with Octadecanethiol, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(1): 195-200.
[12] J. Wang, J. M. Lei, G. F. Yang, et al., An ultra-sensitive and selective nitrogen dioxide sensor based on a novel P2C2 monolayer from a theoretical perspective, Nanoscale, 2018, 10(46): 21936-21943.
[13] J. Wang, G. F. Yang, J. J. Xue, et al., A reusable and high sensitivity nitrogen dioxide sensor based on monolayer SnSe, IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 599-602.
[14] Yang Guofeng*, Chen Peng, Shumei Gao, et al., White-light emission from InGaN/GaN quantum well microrings grown by selective area epitaxy, Photonics Research, 2016, 4, 17-20.
[15] Wu Zhenlong, Chen Peng, Yang Guofeng*, et al., Morphology evolution and emission properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN microfacets using crossover stripe patterns by selective area epitaxy, Applied Surface Science, 2015, 331, 444-448.
[16] Yang Guofeng*, Li Guohua, Gao Shumei, et al., Characteristics of N-face InGaN light-emitting diodes with p-type InGaN/GaN superlattice, IEEE Photonics Technology Letter, 2013, 25, 2369-2372.
【在读硕、博士人数】
博士4人，硕士8人，毕业16人。
招生对象：光学工程博士、光学工程和物理学学硕、光电信息工程专硕；硕士生优先考虑硕博连读的学生。
【以上资料更新日期】
2025年4月
