讲座题目：一维半导体纳米材料的可控生长与光电性能探究

主讲人：杨再兴博士

讲座时间：2016年4月7日13 : 30

讲座地点：理学院202报告厅

      欢迎有兴趣的师生前来聆听！

                                                                                                                       理学院
                                                                               2016年4月6日

讲座内容简介：根据摩尔定律，计算机的性能每两年左右翻一倍。这从硬件上要求提高芯片上半导体材料的迁移率，或缩小半导体元器件的尺寸。当前，基于硅半导体的器件尺寸减小技术得到了充分发挥，但是硅材料目前的空穴迁移率（几十cm²V^-1s^-1）很难得到提高，促使人们研究高迁移率的新材料。采用常规的化学气相沉积法合成GaSb纳米线会遇到纳米线横向生长的问题，导致晶体质量不高，致使其空穴迁移率长期得不到提高（一般<40 cm²V^-1s^-1）。杨再兴博士就此首次采用硫表面活性剂抑制纳米线横向生长的方法，合成了空穴迁移率200 cm²V^-1s^-1的GaSb纳米线（Nature Communications, 5, 5249, 2014）。进一步通过改变金（Au）薄膜催化剂的厚度，合成了不同直径分布的锑化镓（GaSb）纳米线。同时得到的纳米线空穴迁移率达到了400 cm²V^-1s^-1，这正是具有空穴浓度10¹⁸ cm^-3锑化镓材料的理论极限（ACS Nano，9, 9268, 2015）。在本征p型III-V族纳米线材料中，该空穴迁移率是迄今为止报道最高的，在制作高性能半导体元器件中具有巨大优势。

主讲人简介：杨再兴，男，香港城市大学博士后研究员。2012年在南京大学获得博士学位；2012年至今在香港城市大学分别为高级研究助理（2012-2014）和博士后研究员（2014至今）。主要从事一维半导体纳米材料的可控生长以及光电性能研究，研究兴趣包括III-V族P型GaSb纳米线的控制生长与电学性能研究以及II-VI族CdS基纳米带的光学研究。迄今为止发表SCI论文30篇，包括Nature Communications, Advanced Materials, ACS Nano, Nanoscle等一流期刊。受邀为Journal of Alloys and Compounds，Journal of Luminescence，Luminescence ：The Journal of Biological and Chemical Luminescence，Materials Research等多个SCI刊审稿。